多阳极光电倍增管前端四通道放大读出芯片设计

	多阳极光电倍增管前端四通道放大读出芯片设计
	王科; 刘振安; 王铮; 李道武
刊名	核电子学与探测技术
	2010
期号	5 页码:589-591+617
关键词	多阳极光电倍增管调整型共源共栅多通道前置放大器
其他题名	4-Channel Readout ASIC for MaPMT
通讯作者	王科
中文摘要	多阳极光电倍增管目前应用广泛,其后续的常规PCB放大电路显示出体积大、功耗大、噪声高等缺点,制作专用集成电路ASIC可以解决这些问题。基于此类光电倍增管特性,在0.35μm CMOS工艺上,研制了4通道集成放大成形读出电路,包含前放、增益调整、滤波成形等模块。经过测试,功耗为66 mW;增益为62.2 mV/pC,输入动态范围13 pC,线性度1.5%,信噪比9,指标达到设计要求。
公开日期	2016-02-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/219835]
专题	高能物理研究所_实验物理中心高能物理研究所_核技术应用研究中心
推荐引用方式 GB/T 7714	王科,刘振安,王铮,等. 多阳极光电倍增管前端四通道放大读出芯片设计[J]. 核电子学与探测技术,2010(5):589-591+617.
APA	王科,刘振安,王铮,&李道武.(2010).多阳极光电倍增管前端四通道放大读出芯片设计.核电子学与探测技术(5),589-591+617.
MLA	王科,et al."多阳极光电倍增管前端四通道放大读出芯片设计".核电子学与探测技术 .5(2010):589-591+617.