硅漂移探测器的制作工艺及特性研究

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	硅漂移探测器的制作工艺及特性研究
	吴广国; 黄勇; 贾彬; 曹学蕾; 孟祥承; 王焕玉; 李秀芝; 梁琨; 杨茹; 韩德俊
刊名	核电子学与探测技术
	2009
期号	2 页码:436-441
关键词	硅漂移探测器制作工艺光响应度漂移特性悬空阳极电位
其他题名	Fabrication and Characterizing of Silicon Drift Detectors
中文摘要	采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm2的硅漂移探测器(SDD)。这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结构能够并行完成,极大地减少了工艺步骤,降低了器件制作的难度。对研制的SDD的漏电流、电势分布、光电子的漂移特性等进行了测量和分析,对238Puα射线源的能谱进行了测量,对正常工作状态下出现的悬空阳极电位进行了分析和讨论。报道了利用阳极漏电流、光电子漂移特性、悬空阳极电位对SDD芯片进行中测和封装前快速筛选的方法。
公开日期	2016-02-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/218249]
专题	高能物理研究所_粒子天体物理中心
推荐引用方式 GB/T 7714	吴广国,黄勇,贾彬,等. 硅漂移探测器的制作工艺及特性研究[J]. 核电子学与探测技术,2009(2):436-441.
APA	吴广国.,黄勇.,贾彬.,曹学蕾.,孟祥承.,...&韩德俊.(2009).硅漂移探测器的制作工艺及特性研究.核电子学与探测技术(2),436-441.
MLA	吴广国,et al."硅漂移探测器的制作工艺及特性研究".核电子学与探测技术 .2(2009):436-441.