富硅氮化硅薄膜的制备及其发光特性

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	富硅氮化硅薄膜的制备及其发光特性
	曾友华 ; 郭亨群 ; 王启明
刊名	半导体光电
	2007
卷号	28 期号:2 页码:209-212
中文摘要	采用射频磁控反应溅射法制备了氮化硅薄膜。利用X射线衍射谱（XRD）、红外光谱（IR）、能谱（EDS）和光致发光谱（PL）,通过与氮气中和空气中退火薄膜比较,对原沉积薄膜进行了成分与结构和发光特性研究。研究发现原沉积薄膜是部分晶化的富硅氮化硅薄膜,薄膜中晶态氮化硅颗粒的平均粒径为33nm;在氮气中退火后,纳米颗粒增大;在空气中退火后,薄膜被氧化,晶态颗粒消失。在4.67eV的光激发下,原沉积薄膜中观测到7个强的PL峰,其峰位分别为3.39,3.24,3.05,2.82,2.61,2.37和2.11eV。在氮气和空气中退火后,PL峰位和强度有变化。对其光致发光机制进行了探讨,认为硅悬挂键≡Si,氮悬挂键=N,硅错键≡Si-Si≡以及与氧有关的缺陷在富硅氮化硅薄膜高强度荧光发射中起主导作用。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金重点基金项目,国家自然科学基金项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16279]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	曾友华,郭亨群,王启明. 富硅氮化硅薄膜的制备及其发光特性[J]. 半导体光电,2007,28(2):209-212.
APA	曾友华,郭亨群,&王启明.(2007).富硅氮化硅薄膜的制备及其发光特性.半导体光电,28(2),209-212.
MLA	曾友华,et al."富硅氮化硅薄膜的制备及其发光特性".半导体光电 28.2(2007):209-212.