硅基光电子学研究进展与趋势 | |
余金中 | |
刊名 | 世界科技研究与发展
![]() |
2007 | |
卷号 | 29期号:5页码:50-56 |
中文摘要 | 近年来硅基光电子材料和器件受到高度的重视.利用外延生长和键合技术成功研制出硅基应变赝衬底、GexSi1-x/Si量子阱、高密度锗量子点、硅基InGaAsP/Si异质结,这些进展为硅基光电子器件提供了坚实的材料基础.同CMOS工艺相结合,实现了硅量子点1.17 μm的受激发射,研制出硅基Raman激光器、1.55 μm混合型激光器、高灵敏度的Si/Ge探测器、谐振腔增强型的SiGe光电二极管、调制频率30 GHz的SOI CMOS光学调制器和16×16的SOI光开关阵列等.硅光电子学将在光通信、光计算等领域获得重要应用.本文综述了国内外硅基光电子材料和器件的进展、我们的研究结果和硅基光电子学的发展趋势. |
学科主题 | 光电子学 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 科技部"973"项目(No.2 6CB3 28 3和G2 - 3 66),"863"项目(No.22 2AA312 6 ),国家自然科学基金项目(No.NSFC-6 537 1 、6 576 1、6989626 、6 336 1 )资助项目 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16173] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 余金中. 硅基光电子学研究进展与趋势[J]. 世界科技研究与发展,2007,29(5):50-56. |
APA | 余金中.(2007).硅基光电子学研究进展与趋势.世界科技研究与发展,29(5),50-56. |
MLA | 余金中."硅基光电子学研究进展与趋势".世界科技研究与发展 29.5(2007):50-56. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论