光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充

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	光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充
	叶小玲
刊名	光谱学与光谱分析
	2007
卷号	27 期号:11 页码:2178-2181
中文摘要	采用固态源分子束外延技术在GaAs（100）衬底上，制备了InAs量子点，对样品进行原子力显微镜测试，统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明，在室温和77K下，小量子点的发光峰均占主导地位，原因可能是
英文摘要	采用固态源分子束外延技术在GaAs（100）衬底上，制备了InAs量子点，对样品进行原子力显微镜测试，统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明，在室温和77K下，小量子点的发光峰均占主导地位，原因可能是; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:01:18导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3973.pdf: 449989 bytes, checksum: 6345a62779063d233181debf99fe7b98 (MD5) Previous issue date: 2007; 国家自然科学基金项目（6 476 42）,天津市应用基础研究计划重点项目（ 6YFJZJC 11 ）,长江学者创新团队发展计划资助; 南开大学泰达应用物理学院;中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金项目（6 476 42）,天津市应用基础研究计划重点项目（ 6YFJZJC 11 ）,长江学者创新团队发展计划资助
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16161]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	叶小玲. 光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充[J]. 光谱学与光谱分析,2007,27(11):2178-2181.
APA	叶小玲.(2007).光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充.光谱学与光谱分析,27(11),2178-2181.
MLA	叶小玲."光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充".光谱学与光谱分析 27.11(2007):2178-2181.