AlGaN／GaN背对背肖特基二极管氢气传感器

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	AlGaN／GaN背对背肖特基二极管氢气传感器
	杨翠柏; 王保柱; 肖红领; 冯春
刊名	半导体学报
	2008
卷号	29 期号:1 页码:153-156
中文摘要	通过溅射的方法制作了Pt／AIGaN／GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应．研究了Pt／AlGaN／GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10％H_2（N_2气中）的响应，计算了器件的灵敏度；并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢；空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用；最后由热电子发射公式计算了器件在通人10％的氢气前后有效势垒高度的变化．
英文摘要	通过溅射的方法制作了Pt／AIGaN／GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应．研究了Pt／AlGaN／GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10％H_2（N_2气中）的响应，计算了器件的灵敏度；并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢；空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用；最后由热电子发射公式计算了器件在通人10％的氢气前后有效势垒高度的变化．; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:01:11导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3943.pdf: 663701 bytes, checksum: 78be8292506612bfab925db0ebfe27d9 (MD5) Previous issue date: 2008; 国家自然科学基金资助项目（批准号;6 576 46）; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目（批准号;6 576 46）
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16137]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	杨翠柏,王保柱,肖红领,等. AlGaN／GaN背对背肖特基二极管氢气传感器[J]. 半导体学报,2008,29(1):153-156.
APA	杨翠柏,王保柱,肖红领,&冯春.(2008).AlGaN／GaN背对背肖特基二极管氢气传感器.半导体学报,29(1),153-156.
MLA	杨翠柏,et al."AlGaN／GaN背对背肖特基二极管氢气传感器".半导体学报 29.1(2008):153-156.