高分子有机场效应晶体管中退火引起的自组织微观结构变化的研究

	高分子有机场效应晶体管中退火引起的自组织微观结构变化的研究
	田雪雁; 赵谡玲; 徐征; 姚江峰; 张福俊; 贾全杰; 陈雨; 龚伟; 樊星
刊名	物理学报
	2011
期号	5 页码:655-660
关键词	高分子有机场效应晶体管同步辐射掠入射X射线衍射自组织退火
其他题名	Study of crystalline structure change of annealing-induced self-organization in polymer field-effect transistors
中文摘要	为了进一步洞悉高分子薄膜自组织机理和高分子有机场效应晶体管(OFET)载流子迁移率之间的直接关联性,本工作采用先进的同步辐射掠入射X射线衍射(GIXRD)技术,研究了高分子OFET中高分子半导体高度区域规则的聚(3-己基噻吩)(RR-P3HT)工作层薄膜,由不同退火温度所导致的薄膜自组织微观结构的变化.GIXRD测试实验结果显示了,对于不同高分子薄膜制备方法(旋涂法及滴膜法)及不同溶液浓度(RR-P3HT溶液浓度为2.5mg/ml及3.5mg/ml)制备的RR-P3HT有机半导体工作层,在氮气气氛下,经过150℃热退火后,形成的噻吩环面垂直于基底,π-π堆积方向平行于衬底二维微晶粒薄片结构较多...
公开日期	2016-02-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222911]
专题	高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式 GB/T 7714	田雪雁,赵谡玲,徐征,等. 高分子有机场效应晶体管中退火引起的自组织微观结构变化的研究[J]. 物理学报,2011(5):655-660.
APA	田雪雁.,赵谡玲.,徐征.,姚江峰.,张福俊.,...&樊星.(2011).高分子有机场效应晶体管中退火引起的自组织微观结构变化的研究.物理学报(5),655-660.
MLA	田雪雁,et al."高分子有机场效应晶体管中退火引起的自组织微观结构变化的研究".物理学报 .5(2011):655-660.