AXIAL CHANNELING STUDIES OF HETEROEPITAXIAL IN0.25GA0.75AS ON GAAS

	AXIAL CHANNELING STUDIES OF HETEROEPITAXIAL IN0.25GA0.75AS ON GAAS
	YIN SD ; WU CW ; ZHANG JP ; LIU JR ; ZHU PR ; WANG Y
刊名	solid state communications
	1988
卷号	65 期号:10 页码:1181-1183
ISSN号	0038-1098
通讯作者	yin sd chinese acad med sciinst semicondbeijingpeoples r china
学科主题	半导体物理
收录类别	SCI
语种	英语
公开日期	2010-11-15
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14587]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	YIN SD,WU CW,ZHANG JP,et al. AXIAL CHANNELING STUDIES OF HETEROEPITAXIAL IN0.25GA0.75AS ON GAAS[J]. solid state communications,1988,65(10):1181-1183.
APA	YIN SD,WU CW,ZHANG JP,LIU JR,ZHU PR,&WANG Y.(1988).AXIAL CHANNELING STUDIES OF HETEROEPITAXIAL IN0.25GA0.75AS ON GAAS.solid state communications,65(10),1181-1183.
MLA	YIN SD,et al."AXIAL CHANNELING STUDIES OF HETEROEPITAXIAL IN0.25GA0.75AS ON GAAS".solid state communications 65.10(1988):1181-1183.